SGM 1200度滑動式雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)是由洛陽西格馬高溫電爐生產(chǎn)的CVD系統(tǒng)設(shè)備.1200度滑動式雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)是由1200度滑動式雙溫區(qū)管式爐、供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)組成。

CVD系統(tǒng)設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)，除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。

CVD成長系統(tǒng)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng)。

爐體可滑動式管式電爐開啟式滑軌管式爐是一款爐膛可開啟、可滑動的管式電爐；爐體采用開啟式管式爐，爐底安裝有直線滑軌，當生長結(jié)束后，爐體可自動(手動或者電動控制)左右移動，能夠保證有足夠的空間使實驗樣品移出爐體，實現(xiàn)快速降溫的要求。同時也可以抽真空通氣氛保護燒結(jié)；可充氣氛、氮氣，氧氣和氬氣及其它惰性氣體

爐體可滑動式管式電爐主要結(jié)構(gòu)特點：

1、爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，保溫性能好，耐用，高效節(jié)能。

2、加熱元件采用質(zhì)合金絲0Cr27Al7Mo2，經(jīng)久耐用,極限溫度可達1200℃。

3、采用雙層殼體結(jié)構(gòu)，配有風冷系統(tǒng)，使爐體表面溫度快速降溫。

4、可選用KF快速法蘭連接，減少了加熱管損壞的可能，取、放物料更加方便快捷。

5、爐體可左右移動，可實現(xiàn)迅速降溫，滿足材料驟冷驟熱的實驗要求；

6、智能PID高精度控制，自整定功能，30段可編程控制，可設(shè)置30段升降溫程序,實現(xiàn)了功率無損耗。

7、預(yù)留真空、氣路快速接口，配合我司真空、混氣系統(tǒng)使用；滿足用戶在不同的真空狀態(tài)及不同的氣氛條件下進行實驗。

8、預(yù)留485轉(zhuǎn)換接口，通過我司專用軟件，與計算機互聯(lián)，可實現(xiàn)單臺或者多臺電爐的遠程控制、實時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能；

9、具有開啟斷電，超溫報警，漏電保護等安全操作.

產(chǎn)品用途：

此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。

雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)組成：

此款CVD系統(tǒng)配置：

1.1200度可滑動式雙溫區(qū)真空管式爐（可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)）。

2.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

3.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）

雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)特點：

1、控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。

2、氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司有的知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)設(shè)計,提高操作便捷性。

3、中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強，耐沖擊分子泵

防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。

主要技術(shù)參數(shù)：

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