PECVD系統(tǒng)設(shè)備:1200度管式爐
PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109/1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10/100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單。? ? PECVD小型滑動(dòng)開(kāi)啟式管式爐系統(tǒng)通過(guò)滑動(dòng)爐體來(lái)實(shí)現(xiàn)快速的升降溫,配置不同的真空系統(tǒng)來(lái)達(dá)到不錯(cuò)的真空度;同時(shí)通過(guò)多路高精度質(zhì)量流量計(jì)控制不同氣體。是實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等的不錯(cuò)選擇。
PECVD系統(tǒng)設(shè)備廠家:洛陽(yáng)西格馬高溫電爐可生產(chǎn)PECVD系統(tǒng)設(shè)備。
SGM PECVD系統(tǒng)配置組成:
1.1200度開(kāi)啟式滑動(dòng)單溫區(qū)真空管式爐
2.等離子射頻電源
3.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
4.真空系統(tǒng)
PECVD設(shè)備主要用途:
高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長(zhǎng)薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等,也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。
PECVD設(shè)備技術(shù)參數(shù):
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爐體結(jié)構(gòu) |
雙層爐殼間配有風(fēng)冷系統(tǒng),表面溫度低; 爐子底部裝有一對(duì)滑軌,移動(dòng)平穩(wěn) 爐子可以手動(dòng)從一端滑向另一端,實(shí)現(xiàn)快速的加熱和冷卻 爐蓋可開(kāi)啟設(shè)計(jì),可以實(shí)時(shí)觀察加熱的物料、更換爐管便捷 |
| 管式爐名稱 | 西格馬SGM 1200度開(kāi)啟式管式爐 |
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加熱系統(tǒng) |
加熱元件采用質(zhì)合金絲0Cr27Al7Mo2,表面負(fù)荷高、經(jīng)久耐用 額定溫度:1200℃ 工作溫度:≤1100℃
加熱區(qū)長(zhǎng)度:300mm 恒溫區(qū)長(zhǎng)度:200mm 推薦升溫速率:10℃/min |
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溫控系統(tǒng) |
溫度控制采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù),具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能 30段升降溫程序 測(cè)溫元件:K型熱電偶 恒溫精度:±1℃ |
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電源 |
電壓:AC220V 50/60Hz;功率:4KW |
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爐管 |
高純石英管 尺寸:Φ60*1250mm、Φ80*1250mm、Φ80*1250mm |
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法蘭及支撐 |
SUS304不銹鋼法蘭,通過(guò)用硅橡膠“O”型圈緊密密封 通過(guò)KF卡箍完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷 可調(diào)節(jié)的法蘭支撐架,平衡爐管的受力情況 包含進(jìn)氣、出氣、真空抽口針閥,KF密封圈及卡箍組合
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供氣系統(tǒng) |
標(biāo)準(zhǔn)量程:100,200?,500,1000SCCM;?(以氮?dú)鈽?biāo)定,除以上標(biāo)準(zhǔn)外量程可選) 準(zhǔn)確度:±1.5% 線性:±0.5~1.5%F.S. 重復(fù)精度:±0.2%F.S. 響應(yīng)時(shí)間:氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec 工作壓差范圍:0.1~0.5 MPa 額定壓力:3MPa 接頭類型:Φ6,1/4''雙卡套不銹鋼接頭 顯示:4位數(shù)字顯示 流量規(guī)格:0~500sccm 流量精度:±1.5% |
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高真空真空系統(tǒng) |
機(jī)械泵
電阻規(guī) |
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射頻電源系統(tǒng) |
輸出功率:5-500W? 功率穩(wěn)定度:±0.1% 射頻電源頻率:13.56MHz?穩(wěn)定性±0.005%? 額定反向功率:200W?????? 射頻接口:???????50?Ω,?N-type 冷卻:風(fēng)冷 電源:AC187-253V?50/60Hz 輸入功率:1KW??AC?220V |


















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