二硫化鉬CVD氣相沉積系統(tǒng)概述

硫粉預(yù)熱器采用管內(nèi)測(cè)控溫，穩(wěn)定控制硫蒸汽的蒸發(fā)時(shí)機(jī)和蒸發(fā)溫度。真空機(jī)組裝有真空粉塵過(guò)濾器以保護(hù)機(jī)械式真空泵不被硫粉塵損壞。采用耐腐蝕電阻電容復(fù)合真空計(jì)（在1000Pa以上測(cè)量不受氣體種類(lèi)影響，耐硫蒸氣腐蝕），通過(guò)調(diào)節(jié)真空蝶閥的開(kāi)啟程度調(diào)節(jié)爐管內(nèi)壓力穩(wěn)定，在1200℃以下的工藝溫度穩(wěn)定氣相沉積二硫化鉬等二維化合物材料。

二硫化鉬CVD氣相沉積系統(tǒng)組成

HCVD/1200℃雙溫區(qū)管式爐，HT硫粉預(yù)熱器(雙溫區(qū)管式爐與預(yù)熱器可滑動(dòng))，質(zhì)量流量計(jì)供氣系統(tǒng)，機(jī)械式真空泵等組成。

二硫化鉬CVD氣相沉積系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)

硫粉預(yù)熱器 ?	型號(hào)：SGM.400℃?二硫化鉬CVD氣相沉積系統(tǒng) 工作溫度：350℃ 額定溫度：400℃ 升溫速率：30℃/min 推薦升溫速率：10℃/min 控溫方式：智能化30段可編程控制 工作電壓：AC220?V 額定功率：800W 控溫精度：±1℃ 加熱元件：電阻絲 ?
雙溫區(qū)硫化爐?	型號(hào)：HCVD/1200S 技術(shù)參數(shù)： 額定功率(KW):3 額定電壓(V):AC220v??50/60?Hz 額定溫度(℃):1200℃ （可選900℃、1200℃、1400℃、1700℃） 持續(xù)工作溫度(℃）：1100 升溫速率（℃/min）：≤50 爐管尺寸（mm）： 高純石英管Φ50×1500mm 加熱區(qū)長(zhǎng)度（mm）：440mm 恒溫區(qū)長(zhǎng)度（mm）:200mm?? 控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報(bào)警功能 控溫精度(℃):±1 加熱元件:電阻絲
供氣系統(tǒng)GMF3Z ?	質(zhì)量流量計(jì) 重量：35Kg 外形尺寸：600x600x650mm 連接頭類(lèi)型：雙卡套不銹鋼接頭。 標(biāo)準(zhǔn)量程（N2標(biāo)定)：50sccm、200sccm、500sccm；?（可根據(jù)用戶要求定制） 準(zhǔn)確度：±1.5% 線性：±0.5～1.5% 重復(fù)精度：±0.2% 響應(yīng)時(shí)間：氣特性：1～4?Sec，電特性：10?Sec 工作壓差范圍：0.1～0.5?MPa 額定壓力：3MPa 接口：Φ6,1/4'' 顯示：4位數(shù)字顯示 工作環(huán)境溫度:5~45高純氣體????????????? 內(nèi)外雙拋不銹鋼管：Φ6 壓力真空表：－0.1～0.15?MPa,?0.01?MPa/格? 截止閥：Φ6
低真空機(jī)組VAU-02 ?	技術(shù)參數(shù)： 空氣相對(duì)濕度≤85%， 工作電電壓：220V±10%??50~60HZ? 功率：1千瓦 抽氣速率：4Ls 極限真空：4X10-2Pa 實(shí)驗(yàn)真空度：1.0X10-1Pa 容油量：1.1L 進(jìn)氣口口徑：KF25 排氣口口徑：KF25 轉(zhuǎn)速：1450rpm 噪音：50dB 外型尺寸:450×180×240mm
	配真空粉塵過(guò)濾器，DN25手動(dòng)蝶閥用于控制爐管內(nèi)壓力，INFICON PCG554復(fù)合真空計(jì)

用CVD制備二硫化鉬，可以生長(zhǎng)成單層的。

什么是cvd？cvd什么意思？

CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相沉積),CVD化學(xué)氣相沉積是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用設(shè)計(jì)為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來(lái)說(shuō)，它是很簡(jiǎn)單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。沉積氮化硅膜(Si3N4)就是一個(gè)很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。

CVD技術(shù)常常通過(guò)反應(yīng)類(lèi)型或者壓力來(lái)分類(lèi)，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機(jī)物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來(lái)保證它的分類(lèi)，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。不過(guò)，容易引起混淆的是，有些人會(huì)把MOCVD認(rèn)為是有機(jī)金屬CVD(OMCVD)。